Samsung při výrobě pamětí DRAM používá imerzní litografii s laserem na bázi argonu a fluoru. Může tak za pomoci 20nm výrobního procesu produkovat paměťové moduly DDR3 DRAM s kapacitou 4 GB.
Nové moduly založené na 20nm DDR3 s kapacitou 4 GB dokážou ušetřit až 25 % energie spotřebované srovnatelnými moduly vyrobenými pomocí předchozí 25nm výrobní technologie. Toto zlepšení umožňuje globálním společnostem poskytovat nejvyspělejší ekologická IT řešení v oboru.
Podle údajů z průzkumu trhu provedeného společností Gartner vzroste globální trh s paměťovými moduly DRAM z 35,6 mil. USD v roce 2013 na 37,9 mld. USD v roce 2014.
